III/V-Elektronik
Das übergreifende Ziel der Forschungsarbeiten des FBH im Bereich III/V-Elektronik ist, die Grenzen der elektronischen Bauteile hinsichtlich effizienter Leistungserzeugung bei hohen Frequenzen, hohen Spannungen, besserer Rauscheigenschaften und kurzer Schaltzeiten systematisch zu erweitern. Wir decken dabei das Frequenzspektrum vom unteren GHz-Bereich über die Mobilfunkfrequenzen bis hin zu Millimeterwellen und Terahertz-Frequenzen ab. Anwendungs- und frequenzspezifisch greifen wird dabei auf unsere dedizierte GaN-HEMT- oder InP-HBT-Technologie zurück.
Unsere Bauelemente und Applikationen basieren auf langjährig entwickelten Technologien und Prozessen, die wir in unserer exzellent ausgestatteten Reinraumumgebung durchführen.
