Leistungselektronik auf GaN, AlN & GaO

Wir entwickeln und realisieren besonders verlustarme Schalttransistoren für effiziente und kompakte leistungselektronische Konverter. Dabei machen wir uns die hohe Spannungsfestigkeit bei gleichzeitig hoher Elektronenbeweglichkeit der Halbleitermaterialien Galliumnitrid (GaN) und Aluminiumnitrid (AlN) zunutze.

Unsere lateralen GaN-Transistoren (bis 650 V) und AlN-Transistoren (bis 1200 V) eignen sich für sehr schnell schaltende Konverter bis zu einigen Kilowatt. Die vertikalen GaN-Transistoren bis 1200 V Sperrspannung zielen auf hocheffiziente Konverter von über 10 kW.