(Al,In)GaN-basierte LEDs & Diodenlaser
In unseren Reinräumen verfügen wir über Prozesslinien, mit denen wir (Al,In)GaN-basierte LEDs und Diodenlaser mit verschiedenen Emissionswellenlängen entwickeln bzw. herstellen. UVB- und UVC-LEDs nutzen Saphir-Substrate, (In)GaN-basierte RW-, DFB- und DBR-Diodenlasern dagegen GaN-Substrate.
Neben einzelnen Prozesstechnologieschritten bieten wir bei Bedarf auch die Epitaxie von Schichtstrukturen inklusive Charakterisierung an. Ebenso konzipieren und fertigen wir Module und Systeme als Prototypen bzw. Demonstratoren, damit Kunden unsere UV-LEDs in ihren Anwendungen testen können.
Prozesse und Verfahren
(Al,In)GaN-basierte UV-LEDs und Diodenlaser bearbeiten wir in unseren Reinräumen, die von den Abteilungen Materialtechnologie, Prozesstechnologie und Aufbau- & Verbindungstechnik betrieben werden. Dafür nutzen wir Prozesse, die speziell auf diese Bauelemente abgestimmt sind:
- Herstellung einkristalliner AlN-Basisschichten auf 2“-Saphir-Substraten unter Nutzung von MOVPE, Sputtern, Hochtemperaturausheizen, Mikrostrukturierung und lateralem Überwachsen
- Epitaxie von (InAlGaN)N:(Si,Mg)-Schichtstrukturen auf 2“-AlN/Saphir-Templates und 2“-GaN-Substraten mittels MOVPE
- Kontakt-, Projektions- und Elektronenstrahllithografie
- Aufdampfen von Metallen für p- und n-Kontakte
- Sputterverfahren und PECVD zum Aufbringen von Isolatorschichten
- Plasmaätzverfahren zur Realisierung von Mesastrukturen und Wellenleitern
- Backend-Prozesse (Abdünnen, Ritzen und Brechen) zur Vereinzelung von Wafern in Chips
- Beschichtungen von Laserfacetten mittels Ionenstrahl-Sputtern
- Aufbau der Chips auf Submounts, Wärmesenken oder in geeignete Gehäuse