Transistor-Modellierung

Integrierte Schaltungen werden am Computer entworfen und sind nachträglich nicht abstimmbar. Daher ist die Genauigkeit der Entwurfssoftware entscheidend. Die Transistormodellierung bildet die Grundlage, mit der das elektrische und thermische Verhaltens der verwendeten Transistoren genau beschrieben wird. Am FBH forschen wir an neuartigen Technologien, aus denen sich ständig neue Aufgaben ergeben. Modelle entwickeln wir für alle MMIC-Prozesse des FBH und stellen sie für den Schaltungsentwurf bereit, sowohl für InP-Transfersubstrat-HBTs wie auch für die verschiedenen GaN-HEMT-Technologien.

Verschiedene Anwendungen verlangen unterschiedliche Modelle, daher bestimmen wir das Kleinsignal-, Rausch- und Großsignal-Verhalten. Oft ist kein aus der Literatur bekanntes oder in kommerziellen Programmen verfügbares Modell geeignet, um einen neuen Transistor zu beschreiben. Ergebnisse unserer Forschung sind zum Beispiel das FBH-HBT-Model, das derzeit für InP-HBTs eingesetzt wird, Modelle für das weiße und 1/f-Rauschen von HBTs und ein nichtlineares Rauschmodell für GaN-HEMTs sowie ein Modell für Transistoren im Gehäuse.

EM-Simulations-Setup zur Bestimmung von parasitären Effekten
EM-Simulations-Setup, mit dem sich parasitäre Effekte im Bereich um die aktive Region eines InP-HBTs bestimmen lassen. Die Simulationen umfassen den Frequenzbereich bis 110 GHz.

Derzeit forschen wir an folgenden Themen:

  • physikalisch basierte Modellierung von GaN-HEMTs
  • hochfrequentes Schaltverhalten bei GaN-HEMTs und InP-HBTs
  • HEMTs im Materialsystem AlN und in verspannter GaN-Technologie

Die Forschung zur Modellierung von Transistoren führen wir gemeinsam mit dem Fachgebiet Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik, Ulrich-L.-Rohde Stiftungsprofessur, der BTU Cottbus-Senftenberg im Rahmen des Joint Lab BTU-CS - FBH Microwave durch.

Unsere aktuellen Projekte

DFG-Sachbeihilfe

Kooperationsprojekt mit Prof. Ingmar Kallfass, Universität Stuttgart, und Prof. Dan Ritter, Technion, Israel Institute of Technology, Haifa

DFG-Sachbeihilfe

Projektinformation

Teilprojekt des BMBF-geförderten Verbundprojekts Erforschung innovativer Leistungstransistoren auf Basis des neuartigen Materialsystems Alumniniumnitrid - ForMikro-LeitBAN

DFG-Sachbeihilfe

Projektinformation

DFG-Sachbeihilfe

Projektinformation

Regeln für die Suche

  • Nur Wörter mit 2 oder mehr Zeichen werden akzeptiert
  • Maximal 200 Zeichen insgesamt
  • Leerzeichen werden zur Trennung von Worten verwendet, "" kann für die Suche nach ganzen Zeichenfolgen benutzt werden (keine Indexsuche)
  • UND, ODER und NICHT sind Suchoperatoren, die den standardmäßigen Operator überschreiben. +/|/- entspricht UND, ODER und NICHT als Operatoren
  • Alle Suchwörter werden zu Kleinschreibung konvertiert