Transistor-Modellierung
Integrierte Schaltungen werden am Computer entworfen und sind nachträglich nicht abstimmbar. Daher ist die Genauigkeit der Entwurfssoftware entscheidend. Die Transistormodellierung bildet die Grundlage, mit der das elektrische und thermische Verhaltens der verwendeten Transistoren genau beschrieben wird. Am FBH forschen wir an neuartigen Technologien, aus denen sich ständig neue Aufgaben ergeben. Modelle entwickeln wir für alle MMIC-Prozesse des FBH und stellen sie für den Schaltungsentwurf bereit, sowohl für InP-Transfersubstrat-HBTs wie auch für die verschiedenen GaN-HEMT-Technologien.
Verschiedene Anwendungen verlangen unterschiedliche Modelle, daher bestimmen wir das Kleinsignal-, Rausch- und Großsignal-Verhalten. Oft ist kein aus der Literatur bekanntes oder in kommerziellen Programmen verfügbares Modell geeignet, um einen neuen Transistor zu beschreiben. Ergebnisse unserer Forschung sind zum Beispiel das FBH-HBT-Model, das derzeit für InP-HBTs eingesetzt wird, Modelle für das weiße und 1/f-Rauschen von HBTs und ein nichtlineares Rauschmodell für GaN-HEMTs sowie ein Modell für Transistoren im Gehäuse.
Derzeit forschen wir an folgenden Themen:
- physikalisch basierte Modellierung von GaN-HEMTs
- hochfrequentes Schaltverhalten bei GaN-HEMTs und InP-HBTs
- HEMTs im Materialsystem AlN und in verspannter GaN-Technologie
Die Forschung zur Modellierung von Transistoren führen wir gemeinsam mit dem Fachgebiet Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik, Ulrich-L.-Rohde Stiftungsprofessur, der BTU Cottbus-Senftenberg im Rahmen des Joint Lab BTU-CS - FBH Microwave durch.
Charakterisierung und Modellierung von Niederfrequenz-Dispersion in Gallium-Nitrid-Transistoren im Schaltbetrieb
DFG-Sachbeihilfe
Kooperationsprojekt mit Prof. Ingmar Kallfass, Universität Stuttgart, und Prof. Dan Ritter, Technion, Israel Institute of Technology, Haifa
Integrierte Transceiver für die 5G Mobilkommunikation in verspannter GaN-HEMT Technologie
DFG-Sachbeihilfe
Ka-Band AlN-Verstärker-MMICs
Teilprojekt des BMBF-geförderten Verbundprojekts Erforschung innovativer Leistungstransistoren auf Basis des neuartigen Materialsystems Alumniniumnitrid - ForMikro-LeitBAN
Direkte Bestimmung von dispersiven GaN-HEMT-Großsignalmodellen aus nichtlinearen Messungen
DFG-Sachbeihilfe
Digitale Leistungsverstärker für energieeffiziente, drahtlose Sub-THz-Kommunikation
DFG-Sachbeihilfe