Chips - Laser & LEDs
GaAs- & GaN-basierte Optoelektronik
Auf der Basis von III/V-Halbleiter-Schichtstrukturen auf Galliumarsenid (GaAs) entwerfen und realisieren wir in unserem Department Optoelektronik maßgeschneiderte Diodenlaser im Wellenlängenbereich von 0,62 µm bis 1,18 µm. Im Vordergrund stehen dabei die Steigerung von Leistung, Effizienz, Strahlgüte und Zuverlässigkeit. FBH-Diodenlaser werden in verschiedensten Applikationen eingesetzt, von der Materialbearbeitung, dem Pumpen von Festkörperlasern, der Messtechnik, Medizin, nichtlinearen Optik, Displaytechnologie und Sensorik bis hin zu Quantentechnologien und Weltraumanwendungen.
Unser Fokus bei Galliumnitrid (GaN)-basierten Diodenlasern liegt derzeit bei Emissionswellenlängen von 0,40 µm bis 0,42 µm. UV-Leuchtdioden (LEDs) entwickeln wir insbesondere für den UVB- und UVC-Spektralbereich. Zur Montage der Bauelemente setzten wir unsere etablierte Aufbau- und Verbindungstechnik ein.
