Qualifzierung von Epitaxieschichten

Wir qualifizieren Epitaxieschichten anhand eines stabilen Bauelementprozesses. Bekanntermaßen lassen materialtechnische Untersuchungen zur Charakterisierung der epitaxierten Wafer nur bedingt Rückschlüsse auf das Verhalten eines Bauelements zu. Das elektrische Verhalten eines komplett prozessierten elektronischen Bauelements ist daher ein sehr verlässlicher Indikator für die Qualität der Bauelementepitaxie.

Die Qualifizierung besteht aus dem nachweislich stabilen Bauelementprozess auf den zu untersuchenden epitaktischen Wafern, der entsprechenden Charakterisierung der Bauelemente und einer Auswertung der Ergebnisse mit dem Kunden.

Wir bieten Epi-Qualifikationsprozesse für folgende Bauelementtechnologien:

Transistoren für GaN-MMICs in 0,25 µm Technologie
laterale GaN-Leistungstransistoren in p-GaN- und Schottky-Gate-Technologie