Patente

"Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Detektion eines Raman-Spektrums"
US 7,864,311 B2        DE 10 2005 028 268 B4       EP 1 891 408 B1
EP validiert in AT, CH, FR, GB, DE

"Verfahren zur Erzeugung und zur Detektion eines Raman-Spektrums"
DE 10 2009 029 648 B3        US 8,310,672 B2        EP 2 480 868 B1
EP validiert in DK, FR, SE, GB, CH

"Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung"
US 8,003,996 B2        EP 2 095 433 B1
EP validiert in DE, GB, CH

"P-Kontakt und Leuchtdiode für den ultravioletten Spektralbereich"
JP 5689466 B2        KR 10-1642276        US 9,331,246 B2        EP 2 454 762 B1
EP validiert in AT, BE, DE, CH, ES, FR, GB, IE, IT, NL

"Skalierbarer Aufbau für laterale Halbleiterbauelemente mit hoher Stromtragfähigkeit"
US 8,901,671 B2       EP 2 534 685 B1       JP 5738322 B2
EP validiert in DE, BE, AT, FR, GB, NL

"Diodenlaser mit einem externen frequenzselektiven Element"
DE 10 2011 006 198 B4       US 8,867,586 B2       EP 2 506 371 B1
EP validiert in DE, CH, FR, GB, DK, SE

"Diodenlaser und Verfahren zur Herstellung eines Diodenlasers mit hoher Effizienz"
US 8,846,425 B2       EP 2 595 259 B1
EP validiert in DE, CH, FR, GB, NL, SE

"Broad Area Diode Laser with High Efficiency and Small Far-Field Divergence"
US 8,537,869 B2       EP 2 523 279 B1
EP validiert in CH, ES, GB, IE, UP

"Laserdiode mit hoher Effizienz und hoher Augensicherheit"
US 9,343,873 B2       EP 2 617 110 B1
EP validiert in AT, CH, FI, FR, GB, IE, IT, DE

"Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität"
US 8,675,705 B2       EP 2 467 909 B1
EP validiert in CH, DE, FR, SE

"Oberflächenemittierende Laserstrahlquelle mit zwei Kavitäten"
US 8,824,518 B2       EP 2 337 168 B1
validiert in DE, CH, FR, GB, NL, SE

"Diodenlaser mit hoher Effizienz"
US 8,798,109 B2       EP 2 666 213 B1
EP validiert in CH, DE, FI, FR, IE, GB, IT

"System zur Frequenzkonversion sowie Halbleiterbauelement"
US 9,008,145 B2       EP 2 650 985 B1
EP validiert in DE, AT, CH, FI, FR

"Lichtleitvorrichtung und Vorrichtung umfassend eine Lichtleitvorrichtung und Mittel zur Ausstrahlung linear angeordneter, paralleler Lichtstrahlen"
DE 10 2014 203 479 B3       EP 3 111 267 B1       JP 6403792 B2       US 10,295,831 B2
KR 10-2225789
EP validiert in DE, CH, FR, GB, IE, NL, SE

"Halbleiterbauelement-Verbundstruktur mit Wärmeableitstruktur und dazugehöriges Herstellungsverfahren"
US 8,994,036 B2       EP 2 654 078 B1
EP validiert in DE, FR, GB, SE

"Halbleiterschichtenstruktur"
US 8,809,968 B2       DE 10 2012 207 501 B4       EP 2 662 896 B1
EP validiert in DE, BE, FR, GB, IT

"Vorrichtung und Verfahren zur Selektion von optischen Pulsen"
DE 10 2012 209 485 B4       US 9,448,423 B2       EP 2 672 311 B1
EP validiert in DE, FR, GB

"Vorrichtung und Verfahren zur selektiven Transmission eines optischen Signals"
US 8,559,098 B2       DE 10 2008 056 096 B4       EP 2 347 301 B1
EP validiert in DE, FR, GB

"Vorrichtung mit einer Anordnung optischer Elemente"
US 9,563,061 B2       JP 6255022 B2       EP 2 895 844 B1
EP validiert in DE, CH, DK, FI, GB, IT

"UV LED with Tunnel-injection Layer"
US 9,705,030 B2

"Verfahren zum Ausbilden eines Metallkontakts auf einer Oberfläche eines Halbleiters und Vorrichtung mit einem Metallkontakt"
EP 3 084 808 B1       DE 10 2013 226 270 B3       KR 10-1831216       US 9,768,356 B2
JP 6511451 B2
EP validiert in DE, FR, GB, IE, PL

"Strahlungsdetektor und Verfahren zu dessen Herstellung"
DE 10 2017 103 687 B3       EP 3 449 508 B1       US 10,825,947 B2       JP 6914967 B2
EP validiert in DE, BE, AT, CH, ES, FR, GB, FI, IE, IT, NL, PL, TR, SE

"Vorrichtung zur Ansteuerung eines selbstleitenden n-Kanal Endstufenfeldeffekttransistors"
DE 10 2017 108 828 B3       US 10,840,860 B2       EP 3 602 777 B1
EP validiert in AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, NL, SE

"Schaltung, System zur Entfernungsbestimmung und ein Fahrzeug"
DE 10 2018 103 518 B3

"Struktursystem zum Aufbau photonischer integrierter Schaltkreise und Verfahren zu dessen Herstellung"
DE 10 2018 108 114 B3

"Laser Diode with Distributed Feedback and Method for Producing"
US 10,348,056 B2       CN 107851966 B

"Laserdiode mit verbesserten elektrischen Leiteigenschaften"
DE 10 2015 203 113 B4       US 10,498,105 B2       JP 6842422 B2       EP 4 283 802 B1
EP validiert in CH, DE, FR, GB

"Optisches System und Verfahren zur Spektroskopie"
DE 10 2016 118 898 B4      EP 3 309 538 B1      US 10,416,081 B2
EP validiert in AT, DE, DK, ES, FR, GB, IE, IT, NL

"Diodenlaser mit verbessertem Modenprofil"
DE 10 2017 101 422 B4       US 10,840,674 B2

"Optische Vorrichtung umfassend eine Mikrooptik und einen Halter und Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung"
US 10,690,877 B2        JP 6683702 B2        EP 3 175 276 B1
EP validiert in AT, CH, DE, ES, FR, GB, IT, SE

"Verfahren zur Herstellung eines mit einem Halbleitermaterial beschichteten Saphirsubstrats, nach dem Verfahren erhältliches beschichtetes Saphirsubstrat sowie Verwendung eines solchen Substrat in einer Leuchtdiode"
DE 10 2016 114 250 B4

"Verfahren und Vorrichtung zur Raman-Spektroskopie"
DE 10 2016 111 747 B4       US 10,794,766 B2       EP 3 465 165 B1
JP 6888085 B2
EP validiert in AT, DE, DK, FR, GB, IE, IT, NL

"Modulator für einen digitalen Verstärker"
DE 10 2016 106 790 B4       US 10,476,517 B2       JP 6888023 B2       EP 3 443 663 B1
EP 3 443 663 B1 (Korrektur)
EP validiert in DE, FR, GR, IT

"Waveguide Structure and Optical System with Waveguide Structure"
US 10,833,478 B2

"Optical Pulse Generator and Method for Operating an Optical Pulse Generator"
US 10,802,116 B2       JP 7029449 B2

"Resonator und Leistungsoszillator zum Aufbau einer integrierten Plasmaquelle sowie deren Verwendung"
DE 10 2020 100 872 B4

"Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Gatestromes an einem Feldeffekttransistor"
DE 10 2020 112 980 B3

"Gate Structure and Method for Producing Same"
US 11,127,863 B2       JP 7050063 B2

"Hochfrequenz-Leistungstransistor und Hochfrequenz-Leistungsverstärker"
DE 10 2018 131 040 B4       EP 3 891 886 B1       US 11,984,413 B2       CN 113261200 B
EP validiert in UP, CZ, PL und GB

"Diodenlaser mit verringerter Strahldivergenz"
DE 10 2020 108 941 B4       US 11,677,214 B2       CA 3 113 709

"Verfahren und Vorrichtung zur Ableitung eines Fehlersignals, Laser und Sensor"
DE 10 2021 102 038 B3

"Vorrichtung und Verfahren zur Raman-Spektroskopie"
DE 10 2022 124 375 B3

"Laserdiode mit integrierter thermischer Blende"
DE 10 2020 133 368 B4

"Gate-Struktur"
DE 10 2017 127 182 B4       US 11,889,768 B2

"Verspannungsarme optische Bank mit thermischer Entkopplung"
DE 10 2023 111 589 B3

"Vorrichtung und Verfahren zur UV-Antiseptik"
DE 10 2019 124 017 B4       US 12,121,745 B2

"Laserbarren mit verringerter lateraler Fernfelddivergenz"
DE 10 2021 114 411 B4

"Halbleiterlaserbarren mit verbesserter Strahlqualität"
DE 10 2023 102 047 B4