Epitaxie Gruppe III-Nitride
Mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) stellen wir Schichtstrukturen der Gruppe III-Nitride (Al,Ga,In)N her. Diese werden für optoelektronische Bauelemente im Wellenlängenbereich von 200 nm bis 500 nm sowie Leistungstransistoren verwendet. Entwicklungsschwerpunkte sind blau-violette Halbleiterlaser, UVB- und UVC-LEDs sowie Transistoren, die auf hohe Ströme, hohe Durchbruchfestigkeit und hohe Schaltfrequenzen ausgelegt sind. Zur weiteren Optimierung dieser Bauelemente entwickeln wir zudem versetzungsarme Substrate und Templates für die verspannungsreduzierte Abscheidung von AlGaN mit hohen Aluminiumgehalten.
Für die Nitrid-basierte Epitaxie verfügen wir über fünf MOVPE-Reaktoren und einen HVPE-Reaktor. Eine MOVPE-Anlage vom Typ AIX200/4-RF-S mit einer Kapazität von 1×2" nutzen wir, um optoelektronische Epitaxiestrukturen auf GaN-Substrat abzuscheiden, primär blau-violette Laserdioden. Eine Mehrscheiben-Anlage vom Typ AIX2600G3-HT (11×2") erlaubt Wachstumstemperaturen von bis zu 1400 °C, um AlN-Schichten hoher Qualität auf Saphirsubstrat herzustellen, die als Templates für UV-LEDs eingesetzt werden. Mit einem Hochtemperaturofen lässt sich die Kristallqualität durch Heizen bis 1700 °C weiter verbessern. Eine weitere Anlage dieses Typs bildet die Basis für die GaN-HFET-Aktivitäten am FBH auf 4" Substrat. Einen Close Coupled Showerhead Reaktor (6x2") nutzen wir für die Herstellung von Schichtstrukturen für UV-LEDs. Ein weiterer Reaktor dieses Typs wird für AlN-basierte Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (HFET) im Rahmen des Förderprogramms "Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD)" sowie für vertikale MISFET-Strukturen eingesetzt. Alle MOVPE-Anlagen sind mit in-situ Sensorik (Krümmungssensor EpiCurveTT der Firma LayTec) ausgestattet.
Für unsere Kunden realisieren wir Halbleiterschichten mit definierten optischen und elektrischen Eigenschaften:
