Joint Lab GaN Optoelectronics

Im Joint Lab GaN Optoelectronics entwickeln wir in enger Kooperation mit der TU Berlin innovative Lichtemitter auf der Basis von Gruppe-III-Nitriden. Wir nutzen das AlN-GaN-InN-Materialsystem und realisieren Diodenlaser für den violetten Spektralbereich sowie Leuchtdioden (LEDs), die im UVB- (280-315 nm) und UVC- (<280 nm) Spektralbereich emittieren. Die Aktivitäten reichen von der Simulation der Bauelemente, deren Design, der Epitaxie von InAlGaN-Heterostrukturen über die Fabrikation der Bauelementechips bis hin zu deren Montage und Charakterisierung.

Diese Technologien entwickeln wir so weiter, um mit nitridbasierten Diodenlasern und UV-LEDs neue Anwendungen zu erschließen können. Zu diesen Applikationen zählen bei den GaN-Diodenlasern die Atomspektroskopie oder Atomuhren. Maßgeschneiderte UV-LEDs zielen vor allem auf die Wasserdesinfektion, die Medizintechnik und die Gassensorik im tiefen UVC-Bereich. Dafür integrieren wir die Bauelemente in anwendungsspezifische Module und einsatzbereite Systeme.