Entwicklung & Fertigung von GaAs-Diodenlasern

Wir entwickeln und fertigen kundenspezifische Galliumarsenid-basierte Diodenlaser-Chips im Wellenlängenbereich von 0,62 µm bis 1,2 µm. Dies beinhaltet den Chipentwurf, bei dem wir modernste Simulationsmethoden einsetzen, und die Fertigung im Rahmen von Klein- und Pilotserien:

• Rippenwellenleiter- & Trapezlaser
• Breitstreifenlaser - Einzelemitter & Laserbarren
• frequenzstabilisierte Diodenlaser - DBR, DFB, mECDL
• durchstimmbare & Zweiwellenlängen-Diodenlaser
• gepulste Diodenlaser

Auf Wunsch bieten wir ebenfalls die Passivierung und Beschichtung von Laserfacetten sowie den Aufbau der Laserchips durch unsere etablierte Aufbau- und Verbindungstechnik an.