Joint Lab InP Devices

Der Terahertzbereich (0,1 - 3 THz) im elektromagnetischen Spektrum unterhalb der optischen Frequenzen ist zurzeit technisch noch weitgehend unerschlossen. Elektronische Komponenten oberhalb 100 GHz sind kommerziell kaum erhältlich. Daher zielen die Aktivitäten unseres Joint Lab InP Devices darauf, eine elektronische Terahertz-Technologie für integrierte Höchstfrequenzschaltungen (MMIC) bereitzustellen – über unseren InP-HBT-Prozess und die InP-on-BiCMOS-Heterointegration. Das Lab greift auf die komplementären Infrastrukturen des FBH und der Universität Duisburg Essen zu, um grundlegende Materialforschung – mit Schwerpunkt auf Indiumphosphid (InP) – gezielt in angewandte Schaltkreise und Module umzusetzen.