Hochlineare Galliumnitrid-Mischer
Das Reduzieren von Verzerrungen, die durch Intermodulation in modernen Radar- und Kommunikations-Systemen entstehen, ist zu einem kritischen Thema geworden. Ein Grund dafür ist, dass immer kompliziertere digitale Modulationsverfahren verwendet werden. Mischer sind der Hauptengpass wenn es um die Linearität in diesen Systemen geht, daher sind hochlineare Mischer unverzichtbar.
Der große Spannungshub, der in der Galliumnitrid-Technologie (GaN) möglich ist, bedeutet, dass ein ziemlich großes Lokaloszillator-(LO)-Signal an die Mischer angelegt werden kann. Dadurch wechselt der Leitwert dieser Mischer-Bausteine mehr oder weniger augenblicklich zwischen zwei extremen Zuständen (ein und aus) im Takt des LO-Signals. Dies führt zu einem Höchstmaß an Mischerlinearität.
Aktuelle Forschungsschwerpunkte
- gemeinsam mit der DTU: GaN-basierte Mischerschaltungen für das X-Band, die für verschiedene industrielle Anwendungen hochinteressant sind. Erste Experimente mit selbst hergestellten GaN-Transistoren zeigen hervorragende Intermodulationseigenschaften, wenn sie als Widerstandsmischer konfiguriert wurden.
- voll integrierte GaN-Mischer-MMICs – ein erster einfach-balancierter X-Band-Mischer-Chip wurde auf dem FBH-eigenen 0,25 µm GaN-HEMT-Prozess hergestellt