Galliumnitrid-basierte Mikrowellenprozesse
Wir bieten GaN-basierte MMIC-Prozesse für kundenspezifische Schaltungsdesigns in verschiedenen Frequenzbereichen an.
X- und Ka-Band GaN-MMICs
Die verfügbaren Prozesse in 0,25 µm und 0,15 µm Gate-Technologie auf SiC-Substrat basieren auf erprobten Prozessmodulen und eignen sich für GaN-MMICs im Bereich von 5 bis 40 GHz. Wir integrieren aktive und passive Komponenten mit unterschiedlichen Designs auf einen Chip. Die aktiven Bauelemente beinhalten sowohl Layouts für Kleinsignal-Anwendungen als auch Transistorzellen für Hochleistungsverstärker im genannten Frequenzbereich. Sie bieten zusammen mit den verfügbaren passiven Komponenten wie Dünnfilmwiderständen, MIM-Kondensatoren, Spiralinduktivitäten, vertikalen Durchkontaktierungen (Vias) und Mikrowellenleitungen (koplanar und Microstrip) beste Voraussetzungen für Design, Prozessierung und Charakterisierung von GaN-MMICs.
Für den Entwurf steht eine Modellbibliothek zur Verfügung. Als weltweites Alleinstellungsmerkmal enthält unser GaN-MMIC-Prozess eine spezielle, auf einem Metall-Sputterprozess (Iridium) beruhende Gate-Technologie. Sie reduziert Dispersionseffekte deutlich und erhöht die Langzeit-Zuverlässigkeit der aktiven Bauelemente.
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