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Galliumnitrid-basierte Mikrowellenprozesse

Wir bieten GaN-basierte MMIC-Prozesse für kundenspezifische Schaltungsdesigns in verschiedenen Frequenzbereichen an.

X- und Ka-Band GaN-MMICs

REM-Aufnahme: Querschnitt eines 150 nm Gates in Ir-Sputtertechnologie
Querschnitt eines 150 nm Gates hergestellt mit Ir-Sputtertechnologie
REM-Aufnahme: Ausschnitt aus einer GaN-MMIC-Schaltung mit aktiven Bauelemente, Spiralspulen, Koplanarleitungen und MIM-Kapazitäten
Ausschnitt aus einer GaN-MMIC-Schaltung mit aktiven Bauelemente, Spiralspulen, Koplanarleitungen und MIM-Kapazitäten

Die verfügbaren Prozesse in 0,25 µm und 0,15 µm Gate-Technologie auf SiC-Substrat basieren auf erprobten Prozessmodulen und eignen sich für GaN-MMICs im Bereich von 5 bis 40 GHz. Wir integrieren aktive und passive Komponenten mit unterschiedlichen Designs auf einen Chip. Die aktiven Bauelemente beinhalten sowohl Layouts für Kleinsignal-Anwendungen als auch Transistorzellen für Hochleistungsverstärker im genannten Frequenzbereich. Sie bieten zusammen mit den verfügbaren passiven Komponenten wie Dünnfilmwiderständen, MIM-Kondensatoren, Spiralinduktivitäten, vertikalen Durchkontaktierungen (Vias) und Mikrowellenleitungen (koplanar und Microstrip) beste Voraussetzungen für Design, Prozessierung und Charakterisierung von GaN-MMICs.

Für den Entwurf steht eine Modellbibliothek zur Verfügung. Als weltweites Alleinstellungsmerkmal enthält unser GaN-MMIC-Prozess eine spezielle, auf einem Metall-Sputterprozess (Iridium) beruhende Gate-Technologie. Sie reduziert Dispersionseffekte deutlich und erhöht die Langzeit-Zuverlässigkeit der aktiven Bauelemente.

Ausgewählte Publikationen