RF Power Lab

Der Schwerpunkt unseres RF Power Labs liegt bei Anwendungen mit Leistungen im Bereich von 10…200 W im Mikrowellenbereich unterhalb 12 GHz. Die meisten Projekte arbeiten mit gehäusten GaN-HEMT-Transistoren des FBH mit 0,5 µm Gate-Länge. Für die integrierten Leistungsverstärkerdesigns bis zum X-Band nutzen wir die 0,25 µm GaN-MMIC-Technologie des FBH. 

Ein Fokus liegt auf neuartigen Konzepten zur Effizienzsteigerung in breitbandig modulierten Leistungsverstärkersystemen für moderne Telekommunikationssignale mit hohem Verhältnis von Spitzenleistung zu mittlerer Leistung. Insbesondere untersuchen wir Systemtypen, die auf der Last- & Versorgungsspannungsmodulation basieren. Darüber hinaus forschen wir an generellen Fragestellungen der HF-GaN-Leistungs-Transistor-Technologie.