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Bilderservice

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Bilder zu einzelnen Pressemitteilungen

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  • Logo

    Logo des Leibniz Ferdinand Braun Instituts. Es enthält die Buchstaben "FBH" in Weiß auf einem gelben Kreis sowie den Schriftzug "Leibniz Ferdinand Braun Institut" in blauer Schrift.

    Logo (jpg, RGB-Farbmodus) des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik. Bei weiteren Formaten wenden Sie sich bitte an die Pressestelle.

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  • Luftbild Ferdinand-Braun-Institut

    Modernes Gebäude mit einer Mischung aus Glas- und Metallfassade. Auf dem Dach befinden sich Solarpanels. Um das Gebäude wachsen Bäume und es gibt gepflegte Grünflächen sowie Parkplätze daneben.

    © FBH/Christoph Ruß

    Luftaufnahme des Ferdinand-Braun-Instituts - Hauptgebäude. Im Vordergrund mit FBH-Logo ist der Erweiterungsbau (2015 bezogen) mit Labor- und Büroflächen zu sehen, links die rückwärtige Fassade des Reinraums-1, die mit Solarmodulen verkleidet ist. Der Eingang zum Hauptgebäude befindet sich auf der dem Foto abgewandten Seite.

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  • Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) - Planetenreaktor

    Ein Wissenschaftler in Schutzkleidung arbeitet in einem Labor. Er verwendet einen Pinsel, um eine Probe auf einer runden Oberfläche zu bearbeiten, die mehrere flache Objekte zeigt. Im Hintergrund sind komplexe Laborausrüstungen sichtbar.

    © FBH/P. Immerz

    Multiwaferanlage für die Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) von Galliumnitrid. Die Substratwafer werden über eine Handschuhbox eingeschleust und einzeln in den Reaktor gelegt. Bei diesem ersten Bearbeitungsschritt auf dem Weg zum fertigen Bauelement weden atomlagendünne Materialschichten auf Substratmaterial (= Wafer) abgeschieden.

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  • Galvanikanlage im Reinraum des Ferdinand-Braun-Instituts

    Galvanikanlage im Reinraum des Ferdinand-Braun-Instituts

    © FBH/Matthias Baumbach

    Galvanik – mit dem elektrochemischen Verfahren werden metallische Schichten auf Halbleiterscheiben (Wafern) aufgebracht. Bereiche, die auf den Wafern zuvor z.B. mit Fotolack abgedeckt wurden, werden nicht galvanisch beschichtet. Auf diese Weise lässt sich gezielt steuern, wo die galvanischen Schichten auf dem Wafer entstehen und Strukturen im Mikrometerbereich und darunter herstellen.

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  • Mikrotechnologin im Reinraum

    Eine Person in Schutzkleidung sitzt an einem Mikroskop in einem Labor. Der Mikroskop ist auf eine Probe ausgerichtet. Neben dem Mikroskop befindet sich ein Computer mit einer Tastatur und einem Bildschirm, der eine wissenschaftliche Abbildung zeigt.

    © FBH / Matthias Baumbach

    Mikrotechnologin am Mikroskop bei der Waferinspektion

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  • On-wafer Mikrowellen­messtechnik

    Nahaufnahme von goldenen Testsonden auf einer Mikroelektronikplatine. Die Sonden sind präzise ausgerichtet und berühren die Oberfläche der Platine, die feine Muster und Strukturen aufweist. Ein Lichtstrahl zeigt den Kontakt zwischen der Sonde und der Platine an.

    © FBH/schurian.com

    Spezielle Messspitzen ermöglichen es, gezielt einzelne Schaltungen auf dem Wafer zu messen. Die Kontakte sind dabei in der Regel nur 50-150 Mikrometer voneinander entfernt. Diese Messtechnik zeichnet sich dadurch aus, dass die Hochfrequenz­eigenschaften der Schaltungen durch die Messspitzen (Probes) nur unwesentlich verfälscht werden.

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  • Elektrolumineszenzmessung mittels Wafer-Mapper an AlGaN-UV-LEDs

    Wissenschaftliche Apparatur, die eine Goldene Halbleiterplatte ins Visier nimmt. Ein dünner Draht wird auf die Platte ausgerichtet, während ein blauer Lichtstrahl sichtbar ist.

    ©FBH/schurian.com

    Mit einem Wafer-Mapper werden charakteristische Eigenschaften wie optische Leistung, Spannung und Wellenlänge von AlGaN-basierten UV-LEDs auf einem 2-Zoll-Wafer gemessen und deren Homogenität untersucht. Die UV-Strahlung dieser LEDs wird unter anderem für medizinische Anwendungen in der Dermatologie, in der Sensorik und zur Desinfektion verwendet.

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  • Wafer mit Terahertz-Schaltungen

    Mikroelektronik-Platine mit komplexen Schaltkreisen in Gold- und Lila-Tönen. Die Struktur besteht aus vielen feinen Drähten und geometrischen Formen, die verschiedene elektronische Komponenten darstellen.

    © FBH/schurian.com

    Terahertz (THz)-Schaltungen in einer InP-auf-BiCMOS-Technologie für die THz-Signalerzeugung. Die hochfrequenten Indiumphosphid (InP) Doppel-Heterostruktur-Bipolartransistoren (DHBT) sind heterointegriert auf einem Silizium-BiCMOS-Wafer. Die dunkleren Stellen zeigen BiCMOS-Oszillatoren bei 82 GHz und die helleren Schaltteile die InP-DHBT-Vervielfacher- und Verstärker-Schaltungen.

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  • Wafer mit Laserdioden

    Eine Hand mit einem weißen Handschuh hält eine runde Siliziumscheibe, die mit goldenen Mikrostrukturen versehen ist. Die Scheibe zeigt eine geometrische Anordnung von Mustern, die für die Herstellung von Halbleitern verwendet werden.

    © FBH/schurian.com

    Fertig prozessierter 3" Wafer mit Laserdioden.

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  • UV-Leuchtdiode (LED)

    Ein UV-LED-Chip in quadratischer Form, der auf einer silbernen Fläche platziert ist. Der Chip hat eine transparente Abdeckung und zeigt ein feines, Rasterähnliches Muster auf der Oberfläche.

    © FBH/schurian.com

    AlN-basierter UV-LED-Chip in Flip-Chip-Geometrie in einem hermetisch verschlossenen Keramikgehäuse mit Quarzdeckel. Das Gehäuse schützt den Chip in feuchten Umgebungen und leitet die Wärme effizient ab. Das von der LED ausgestrahlte UV-Licht kann zum Pflanzenwachstum, in der Dermatologie, der Sensorik, zur Desinfektion und in weiteren Bereiche eingesetzt werden.

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  • Pumplasermodule

    Mehrere technische Geräte zu sehen, die aus schwarzen Gehäusen mit goldenen und silbernen Komponenten bestehen. Diese Geräte haben unterschiedliche Anschlüsse und mechanische Teile.

    © FBH/schurian.com

    Pumplasermodule der Kilowatt-Klasse für Hochleistungslaseranwendungen

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  • Kompaktes fasergekoppeltes Verstärkermodul

    Optisches Verbindungselement mit einem goldenen Gehäuse, in dem sich komplexe Innenkomponenten befinden. An der Vorderseite sind zwei optische Stecker sichtbar, die mit dünnen Kabeln verbunden sind.

    ©FBH/schurian.com

    Fasergekoppeltes Verstärkermodul, das im gelben Spektralbereich bei 560 nm mit 200 mW emittiert für Anwendungen in der Biophotonik

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  • Quantenlichtmodul für Medizin & Life Sciences

    Offenes Quantenlicht-Lasermodul mit Faseranschluss, das im Inneren eine goldfarbene Platine zeigt mit verschiedenen optischen Komponenten, einem großen silbernen Element, transparenten Linsen und weiteren mikroelektronischen Bauteilen. Als Größenvergleich ist ein silberfarbiges Lineal im Hintergrund des Bildes platziert.

    © FBH/schurian.com

    Quantenlichtmodul für die Optische Kohärenztomographie (OCT) und Spektroskopie-Messungen im mittleren Infrarot (MIR)-Bereich mittels „undetektierter Photonen“. Die FBH-Quantenlicht-Module basieren auf verschränkten Photonenpaaren, die in einem nichtlinearen Interferometer zur Interferenz gebracht werden – und auf diese Weise den MIR-Spektralbereich zugänglich machen. Gemessen wird dabei ausschließlich im kostengünstigeren nahinfraroten (NIR) Bereich

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  • Leistungsstarke gepulste Nanosekunden-Laserquellen für ToF-LiDAR

    Die Abbildung (Detailaufnahme eines Nanosekunden-Lasermoduls für LiDAR-Anwendungen) zeigt im Zentrum eine goldene Laserdiode mit Drähten sowie eine elektronische Platine mit verschiedenen Bauteilen, einschließlich Widerständen und integrierten Schaltungen. Einige Schrauben sind sichtbar, die die Montage sichern.

    © FBH/P. Immerz
    Hochstrom-Nanosekunden-Lasertreiber mit integrierter Rippenwellenleiter-Laserdiode für LiDAR-Anwendungen. Das FBH stellt gitterstabilisierte Diodenlaser mit mehreren epitaktisch gestapelten aktiven Bereichen vor, die für den Nanosekunden-Pulsbetrieb in Time-of-Flight (ToF)-LiDAR-Systemen entwickelt wurden. Diese werden beispielsweise zur Abstandsmessung im Automotive-Bereich eingesetzt.

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  • Digitaler Leistungsverstärker für die moderne 5G-Mobilkommunikation

    Elektronisches Bauteil mit mehreren Anschlussbuchsen. Ein Präzisionsmaßgerät wird verwendet, um die Größe des Bauteils zu messen. Die Leiterplatte ist detailliert sichtbar, mit verschiedenen elektronischen Komponenten und Verbindungen.

    © FBH/schurian.com

    Das neuartige Modul ist außerordentlich flexibel, kompakt und höchst effizient – und damit besonders attraktiv im Hinblick auf die Digitalisierung von Mobilfunkbasisstationen. Die Leistungsverstärker bestimmen nämlich hauptsächlich die Effizienz des Gesamtsystems und damit die Betriebskosten.

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  • Symmetrisch aufgebaute Halbbrücken

    Zwei goldene elektronische Bauteile liegen auf einer silbernen Oberfläche, neben einem Präzisionsmesswerkzeug. Die Messschieber zeigen die Maße der Bauteile an.

    © FBH/P. Immerz

    Sie bestehen aus je zwei GaN-basierten Leistungsschalttransistoren in selbstsperrender Technologie und zwei GaN-Freilaufdioden - in einem elektronischen Leistungskonverter werden sie zu einer Vollbrücke verschaltet. Die symmetrisch aufgebauten Halbbrücken sind dafür ausgelegt, eine Leistung von 10 kW mit einer Effizienz von deutlich > 90% zu erreichen. Derartige Leistungskonverter eignen sich u.a. für On-Board-Ladeeinheiten in Elektroautos.

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