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Bilder zu einzelnen Pressemitteilungen
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Logo
Logo (jpg, RGB-Farbmodus) des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik. Bei weiteren Formaten wenden Sie sich bitte an die Pressestelle.
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Luftbild Ferdinand-Braun-Institut
© FBH/Dimitri Stoppel
Luftaufnahme des Ferdinand-Braun-Instituts. Im Vordergrund ist der 2015 bezogene jüngste Erweiterungsbau des FBH mit 1.800 qm Labor- und Bürofläche zu sehen, links die rückwärtige Fassade des Reinraums, die mit Solarmodulen verkleidet ist. Der Eingang zum Hauptgebäude befindet sich auf der dem Foto abgewandten Seite.
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Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) - Planetenreaktor
© FBH/P. Immerz
Multiwaferanlage für die Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) von Galliumnitrid. Die Substratwafer werden über eine Handschuhbox eingeschleust und einzeln in den Reaktor gelegt. Bei diesem ersten Bearbeitungsschritt auf dem Weg zum fertigen Bauelement weden atomlagendünne Materialschichten auf Substratmaterial (= Wafer) abgeschieden.
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Galvanikanlage im Reinraum des Ferdinand-Braun-Instituts
© FBH / Matthias Baumbach
Galvanik – mit dem elektrochemischen Verfahren werden metallische Schichten auf Halbleiterscheiben (Wafern) aufgebracht. Bereiche, die auf den Wafern zuvor z.B. mit Fotolack abgedeckt wurden, werden nicht galvanisch beschichtet. Auf diese Weise lässt sich gezielt steuern, wo die galvanischen Schichten auf dem Wafer entstehen und Strukturen im Mikrometerbereich und darunter herstellen.
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Mikrotechnologin im Reinraum
© FBH / Matthias Baumbach
Mikrotechnologin am Mikroskop bei der Waferinspektion
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On-wafer Mikrowellenmesstechnik
© FBH/schurian.com
Spezielle Messspitzen ermöglichen es, gezielt einzelne Schaltungen auf dem Wafer zu messen. Die Kontakte sind dabei in der Regel nur 50-150 Mikrometer voneinander entfernt. Diese Messtechnik zeichnet sich dadurch aus, dass die Hochfrequenzeigenschaften der Schaltungen durch die Messspitzen (Probes) nur unwesentlich verfälscht werden.
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Elektrolumineszenzmessung mittels Wafer-Mapper an AlGaN-UV-LEDs
©FBH/schurian.com
Mit einem Wafer-Mapper werden charakteristische Eigenschaften wie optische Leistung, Spannung und Wellenlänge von AlGaN-basierten UV-LEDs auf einem 2-Zoll-Wafer gemessen und deren Homogenität untersucht. Die UV-Strahlung dieser LEDs wird unter anderem für medizinische Anwendungen in der Dermatologie, in der Sensorik und zur Desinfektion verwendet.
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Wafer mit Terahertz-Schaltungen
© FBH/schurian.com
Terahertz (THz)-Schaltungen in einer InP-auf-BiCMOS-Technologie für die THz-Signalerzeugung. Die hochfrequenten Indiumphosphid (InP) Doppel-Heterostruktur-Bipolartransistoren (DHBT) sind heterointegriert auf einem Silizium-BiCMOS-Wafer. Die dunkleren Stellen zeigen BiCMOS-Oszillatoren bei 82 GHz und die helleren Schaltteile die InP-DHBT-Vervielfacher- und Verstärker-Schaltungen.
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Wafer mit Laserdioden
© FBH/schurian.com
Fertig prozessierter 3" Wafer mit Laserdioden.
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UV-Leuchtdiode (LED)
© FBH/schurian.com
AlN-basierter UV-LED-Chip in Flip-Chip-Geometrie in einem hermetisch verschlossenen Keramikgehäuse mit Quarzdeckel. Das Gehäuse schützt den Chip in feuchten Umgebungen und leitet die Wärme effizient ab. Das von der LED ausgestrahlte UV-Licht kann zum Pflanzenwachstum, in der Dermatologie, der Sensorik, zur Desinfektion und in weiteren Bereiche eingesetzt werden.
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Pumplasermodule
© FBH/schurian.com
Pumplasermodule der Kilowatt-Klasse für Hochleistungslaseranwendungen
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Kompaktes fasergekoppeltes Verstärkermodul
©FBH/schurian.com
Fasergekoppeltes Verstärkermodul, das im gelben Spektralbereich bei 560 nm mit 200 mW emittiert für Anwendungen in der Biophotonik
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ps-Lichtquelle mit integriertem Pulspicker
© FBH/schurian.com
Diese Pikosekunden-Lichtquelle mit hybrid integrierter Elektronik vereint Kompetenzen des FBH aus Optoelektronik und Mikrowellentechnik. Derartige Laserstrahlquellen auf der Basis von Diodenlasern besitzen großes Anwendungs- und Marktpotenzial in der Materialbearbeitung, Sensorik und Analytik. Sie sind die Herzstücke der kompakten Pulslichtquellen des FBH, die flexible Pulse im Piko- und Nanosekundenbereich mit Nanojoule-Energien liefern.
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Digitaler Leistungsverstärker für die moderne 5G-Mobilkommunikation
© FBH/schurian.com
Das neuartige Modul ist außerordentlich flexibel, kompakt und höchst effizient – und damit besonders attraktiv im Hinblick auf die Digitalisierung von Mobilfunkbasisstationen. Die Leistungsverstärker bestimmen nämlich hauptsächlich die Effizienz des Gesamtsystems und damit die Betriebskosten.
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Symmetrisch aufgebaute Halbbrücken
© FBH/P. Immerz
Sie bestehen aus je zwei GaN-basierten Leistungsschalttransistoren in selbstsperrender Technologie und zwei GaN-Freilaufdioden - in einem elektronischen Leistungskonverter werden sie zu einer Vollbrücke verschaltet. Die symmetrisch aufgebauten Halbbrücken sind dafür ausgelegt, eine Leistung von 10 kW mit einer Effizienz von deutlich > 90% zu erreichen. Derartige Leistungskonverter eignen sich u.a. für On-Board-Ladeeinheiten in Elektroautos.
