Montage von III/V-Elektronikbauelementen

Wir montieren diskrete GaN-Mikrowellen-Transistoren mit Leistungen bis 100 W sowie MMICs bis in den mm-Wellenbereich - als Voraussetzung für die umfassende Charakterisierung, Alterung und anschließende Lieferung an Kunden und Partner. Hinzu kommen GaN-/GaO-Leistungsbauelemente und State-of-the-Art-Bauelemente auf der Basis von Galliumnitrid für Terahertz-Anwendungen sowie von Indiumphosphid für Modulapplikationen.

• thermisches Management bei Leistungsbauelementen (Sicherstellen eines niedrigen Wärmewiderstands)
• Packaging für hohe Leistung und zugleich hohe Frequenzen (u.a. Handling hoher Ströme, Erzielen von möglichst geringen parasitären Effekten)
• elektrische Stabilität (möglichst geringe Schwingneigung)
• Drahtbonden bei hoher Strombelastung der Bonds

Hier finden Sie technische Details und weitere Informationen zu den am FBH realisierten elektronischen Bauelementen.