Leistungselektronische Messverfahren
Leistungshalbleiter in GaN- und Ga2O3-Technologie entwickeln wir im Rahmen unseres Joint Lab Power Electronics in enger Zusammenarbeit mit dem Institut für Energie und Automatisierungstechnik, Fachgebiet Leistungselektrik an der TU Berlin. Dadurch profitieren wir von den spezifischen Stärken beider Institutionen.
In dieser Kooperation konzipieren und realisieren wir die Technologie der Bauelemente. Zudem verantworten wir alle Messungen auf Waferlevel. In diesem Zusammenhang haben wir auch die Messmöglichkeiten systematisch ausgebaut, so dass wir jetzt Leistungstransistoren bei hohen Spannungen (bis 3 kV) und Strömen (bis 100 A) on-wafer dynamisch vermessen können.
Die TU Berlin führt Messungen an fertig konfektionierten Chips oder an hybrid bzw. monolithisch integrierten Leistungsmodulen durch, die das Verhalten der Bauelemente in typischen leistungselektronischen Systemen beschreiben. Doppelt oder mehrfach gepulste Schaltmessungen an einer induktiven Last zum Erfassen der Eigenschaften von Leistungstransistoren sind unentbehrlich für das Verständnis von möglichen Degradations- oder Drifteffekten in Leistungstransistoren und für Design und die Entwicklung von Leistungskonvertern.
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