Montage von Laserdioden

Die Laserchips aus der Prozessline des FBH basieren auf InAlGaAsP-Quantenfilmen auf GaAs-Substrat sowie InGaN-Quantenfilmen auf GaN-Substrat. Beim Aufbau stimmen wir die Montagetechnik exakt auf die Anforderungen ab. Dabei achten wir auf kleine Wärmeableitwiderstände ebenso wie auf minimale mechanische Spannungen auf den Chip, etwa durch Anpassen der thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen Chip und Wärmesenke. Bei Kantenemittern positionieren wir die Lichtaustrittsflächen so, dass sie den Ausgangsstrahl nicht verschatten. Eine gute Wärmeabfuhr sorgt zugleich dafür, dass auch bei hoher Facettenbelastung keine Defekte im Facettenbereich (Facettenlast bis 20 MW/cm² bei GaAs-basierenden Lasern) entstehen.

Diodenlaser bauen wir als Einzelemitter oder im Verbund mit mehreren Emittern als Laserbarren auf - in der Regel auf Zwischenträgern aus ausdehnungsangepassten Kompositmaterialien wie Cu/W oder Cu/Diamant oder auf AlN, Si bzw. Diamant. Werden die Chips in Mikromodule integriert - wie etwa Seed-Laser mit optischem Verstärker, integrierten Treiberschaltungen oder Komponenten zur Strahlformung - übernimmt die AVT die Montageschritte, die ohne Betrieb der aktiven Bauelemente durchgeführt werden können. Die "aktiv" justierten Komponenten zur optische Kopplung werden in den optischen Messlaboren unserer Labs im Forschungsbereich Photonik positioniert.