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Zahlen & Fakten

Blick auf ein FBH-Gebäude

Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
Gustav-Kirchhoff-Straße 4, 12489 Berlin
Tel. +49 30 63922600
E-Mail fbh(at)fbh-berlin.de
Web www.fbh-berlin.de

Geschäftsführung

Prof. Dr.-Ing. Patrick Scheele (wissenschaftlicher Geschäftsführer)
Tel. +49 30 634922601, patrick.scheele(at)fbh-berlin.de

Dr. Karin-Irene Eiermann (administrative Geschäftsführerin)
Tel. +49 30 639258003, irene.eiermann(at)fbh-berlin.de

1992   gegründet

Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft

400   Mitarbeiter*innen

inklusive 200 Wissenschaftler*innen,
30 studentische Hilfskräfte

44,5   Mio. € Einnahmen (2024)

19,6 Mio. € Grundfinanzierung
20,9 Mio. € öffentliche Drittmittel
4,0 Mio. € industrielle Auftragsforschung

Forschungsauftrag & Kompetenzen

  • Kompetenzzentrum für III/V-Halbleiter - eine der leistungsfähigsten und größten Unternehmungen in Europa
  • anwendungsorientierte und industrienahe Forschung in Mikrowellentechnik und Optoelektronik

Photonik

  • Hochleistungs-Diodenlaser: Breitstreifen & Barren
  • Hochbrillante & spektral schmalbandige Diodenlaser
  • Hybride Lasermodule (CW & gepulst): NIR bis UV-Spektralbereich, u. a. für Biophotonik, Lasersensorik, …
  • Nitrid-Laserdioden für den blauen & UV-Spektralbereich
  • Kurzwellige UV-Leuchtdioden, u. a. für Sensorik, Desinfektion Medizin- & Produktionstechnik, ...

Integrierte Quantentechnologie 

  • Elektrooptische Komponenten & hybrid mikrointegrierte Module
  • Integrierte Quantensensoren auf Basis atomarer Gase
  • Quantenlicht für photonische Quantensensorik & Quantenkommunikation
  • Nanostrukturierte Diamantsysteme & -materialien
  • Quantenemitter & nanofabrizierte Lichtwellenleiterchips

III/V-Elektronik 

  • GaN-Mikrowellentransistoren, MMICs & Frontends
  • Neue Leistungsverstärkerkonzepte für die drahtlose Infrastruktur, Radar & Weltraumanwendungen
  • Integrierte Schaltungen mit InP-HBTs für den Frequenzbereich 100…500 GHz 
  • Hochgeschwindigkeitstreiber für Laserdioden & breitbandige optoelektronische Transceiver
  • Leistungselektronik auf Basis von GaN, Ga2O3 & AlN
  • THz-Transitor-Detektoren, Scanner & Arrays für die Bildgebung

III/V-Technologie 

  • Epitaxie (MOVPE) von GaAs- & GaN-basierten Schichtstrukturen für Bauelemente
  • In-situ Kontrolltechniken bei MOVPE 
  • Komplette Prozesslinie für GaAs-, InP-, GaN-,AlN- & SiC-Bauelemente auf 2" - 4"-Wafern (Erweiterung bis 200 mm) & Waferteile InP HBT-Technologie für Millimeterwellen- & THz-Anwendungen, heterointegrierte SiGe-BiCMOS/InP-HBT-Foundryservices im Rahmen von APECS
  • Aufbau- & Verbindungstechnik

Outreach

Eine technische Vorrichtung mit einer rechteckigen Metallbox, ausgestattet mit einer oberen Glasfläche, die eine Anordnung kleiner quadratischer Komponenten zeigt. Die Box enthält reflektierende Flächen und hat Steuerungselemente an einer Seite.

EntwicklungsZentrum

praxisgerechte Funktionsmodelle & Prototypen für Systemanwendungen
Ein Diagramm zeigt drei aufsteigende Säulen in Weiß. Über den Säulen schwebt eine glühbirnenähnliche Figur, die Lichtstrahlen ausstrahlt, begleitet von einem Pfeil, der nach oben zeigt.

Innovation & Technologietransfer

Technologietransfer & Forschungsmanagement, Bildung & Fachkräftesicherung
Eine leuchtende Glühbirne hängt links, umgeben von drei matten, gelben Glühbirnen rechts. Die leuchtende Glühbirne strahlt hell und hebt sich durch ihre Helligkeit ab, während die anderen aus sind.

Spin-offs

12 Ausgründungen, von denen die meisten heute noch aktiv sind

Partner von

  • Technische Universität Berlin
  • Humboldt-Universität zu Berlin
  • Goethe-Universität Frankfurt am Main
  • Universität Duisburg-Essen
  • Brandenburgische Technische Universität Cottbus-Senftenberg
  • Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD)
  • Zwanzig20-Konsortium „Advanced UV for Life“ (Koordination am FBH)
  • iCampµs
  • Cluster Optik Berlin-Brandenburg
  • ...