GaAs-Laserdioden
In unseren Reinräumen verfügen wir über Prozesslinien, mit denen wir Rippenwellenleiter- (RW), Breitstreifen- (BA) und Trapez-Diodenlaser sowie Laserbarren herstellen. Dafür bieten wir die zugehörigen Prozessmodule sowie BA-Short-Loop-Prozesse zur Charakterisierung von Laserschichtstrukturen aus der Epitaxie an. Für frequenzstabilisierte Diodenlaser (DFB- und DBR-Laser) bringen wir zusätzlich Gitterstrukturen in den Laserresonator ein.
Prozessierter 3-Zoll-Wafer
Prozessierte 2-, 3- und 4-Zoll-Laserwafer
Prozesse und Verfahren
GaAs-Laserdioden stellen wir in den Reinräumen her, die von der Abteilung Prozesstechnologie betrieben werden. Dafür nutzen wir Prozess-Einzelschritte, die auf GaAs-Laserdioden optimiert sind.
- Kontakt- und Projektionslithografie einschließlich periodischer Strukturen mit Strukturgrößen bis zu 500 nm
- Elektronenstrahl-Lithografie für Gitterstrukturen und Ridges mit Critical Dimension (CD) von 70 nm
- Ionen-Implantation zur Stromführung
- nass- und trockenchemische Ätzverfahren zur Realisierung von Wellenleitern
- Sputterverfahren und PECVD zum Aufbringen von Isolatorschichten.
- Aufdampf- und Sputterverfahren für p- und n-Kontakte
- elektrochemische Abscheidung von Gold
- Backend-Prozess (Abdünnen, automatisiertes Ritzen und Brechen)
- Vereinzelung von Wafern zu Barren im Ultrahochvakuum und Passivierung der Facettenoberflächen, durch epitaktische Beschichtung (MBE) mit Zinkselenid, ohne das Ultrahochvakuum zu verlassen.
- Vereinzelung von Wafern zu Barren an Luft mit anschließender Wasserstoffplasmareinigung und Passivierung der Facettenoberflächen, durch epitaktische Beschichtung (MBE) mit Zinkselenid, im Ultrahockvakuum.
- Facettenbeschichtungen mittels Ionenstrahl-Sputtern für Reflexionsgrade im Bereich ≤ 10-4 bis > 98%