Epitaxie Arsenide & Phosphide
Die Abscheidung einkristalliner Halbleiterschichten (Epitaxie) mit definierten optischen und elektrischen Eigenschaften ist die Grundlage für GaAs- und InP-basierte mikroelektronische und optoelektronische Bauelemente. Im Bereich der Arsenide & Phosphide entwickeln wir Schichtstrukturen im Wellenlängenbereich von 635 nm bis 1220 nm für Hochleistungslaserdioden mit exzellenter Strahlqualität. Mittels Zweischritt-Epitaxieverfahren ermöglichen wir mehrdimensionale Strukturierungen in Form von vergrabenen Gittern für die Wellenlängenstabilisierung oder von vergrabenen Implantationen, um Stromblenden zu realisieren. In Kooperation mit Kunden entwickeln wir sättigbare Absorberstrukturen, die in gepulsten Lasersystemen und als Gain-Strukturen für Halbleiterscheibenlaser (VECSEL) genutzt werden. Ebenso realisieren wir Strukturen für oberflächenemittierende Laserdioden (VCSEL) mit kundenspezifischen Eigenschaften.
Wir entwickeln die Abscheidungsbedingungen für die Materialsysteme (Al,Ga)As, (Al,Ga,In)P und (Ga,In)(As,P) permanent weiter. Damit sichern wir die hohe Qualität der Halbleiterschichten und ihrer Grenzflächen sowie präzise Zusammensetzungen und Dotierungen unserer Schichtstrukturen, die wir für den Forschungsbetrieb und für externe Partner und Kunden fertigen.
Als Wachstumsverfahren setzen wir die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) ein, bei der Ausgangsmaterialien wie TMGa, TEGa, TMIn, TMAl, Arsin, Phosphin sowie Disilan, DETe, DMZn, Cp2Mg und CBr4 als Dotierquellen genutzt werden. Die hohe Qualität der Halbleiterstrukturen am FBH sichern wir unter anderem, indem wir die Reinheit dieser Ausgangsmaterialien genau kontrollieren. Zwei weitgehend baugleiche, industriekompatible Anlagen des Typs AIX 2800G4 (12×4") werden für die Schichtherstellung genutzt.
Die Epitaxieanlagen sind mit Systemen zur optischen in-situ Kontrolle des MOVPE-Wachstums mittels Reflektometrie und Messung der Waferkrümmung ausgerüstet. Dadurch können wir Epitaxieprozesse schnell entwickeln und insbesondere auch Prozesse zwischen den Epitaxieanlagen rasch transferieren. Auch der Vergleich von Prozessen über viele Jahre hinweg ist möglich. Mit dem Hersteller Laytec AG entwickeln wir diese Messsysteme stetig weiter.
Für unsere Kunden realisieren wir Halbleiterschichten mit definierten optischen und elektrischen Eigenschaften:
