Wide-Bandgap Electronics Department

Hochgeschwindigkeits-Feldeffektbauelemente

Unsere AlGaN/GaN-Heterostrukturen ermöglichen Hochgeschwindigkeits-Feldeffektbauelemente mit gleichzeitig hoher Stromtragfähigkeit und Durchbruchspannung. Wir setzen diese für neuartige Mikrowellen-Leistungsbauelemente ein:

• diskrete GaN-Leistungstransistoren für Anwendungen im L- bis  C-Band - diese werden u. a. in unseren Mikrowellen-Plasmaquellen verwendet
• GaN-MMICs für Anwendungen im X-, Ka- und Q-Band - diese werden u. a. in unseren digitalen Leistungsverstärkern eingesetzt
• Ka-Band-MMICs entwickeln wir derzeit im Rahmen des Europäischen Projekts  entwickeln wir derzeit im Rahmen des Europäischen Projekts SGAN-Next und des ESA-Projekts Kassiopeia

Schalttransistoren für hohe Spannungen

GaN-, AlN- und Ga₂O₃-basierte Schalttransistoren für hohe Spannungen ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit hohen Konverter-Schaltfrequenzen und besonders hohen Leistungsdichten. Aktuell entwickeln wir:

• selbstsperrende laterale GaN-Schalttransistoren bis 650 V
• monolithisch integrierte Halbbrücken
• vertikale GaN-Schalttransistoren bis 1200 V
• laterale AlN-Transistoren bis 1200 V
• laterale und vertikale Ga₂O₃-Transistoren bis 1200 V
• hybrid integrierte schnelle schaltende Leistungskerne

Messtechnik & Simulation

Basis für unsere Entwicklungen sind spezielle Messtechniken und Simulationsverfahren für Leistungstransistoren. Dazu gehören dynamische Charakterisierungstechniken, verschiedene Simulationswerkzeuge sowie Zuverlässigkeitsanalysen. Unsere Schwerpunkte:

• Bauelement-Simulationen: physikalisch orientiert sowie thermisch und mechanisch
• Bauelement-Charakterisierung: umfassende Charakterisierung der dynamischen Eigenschaften inkl. Wärmeverteilung über ausgedehnte Leistungstransistoren und deren thermischer Impedanz
• Analyse der Zuverlässigkeit mit angepassten Testroutinen