Wide-Bandgap Electronics Department

Auf Basis der Wide-Bandgap Halbleiter GaN, AlN und Ga₂O₃ entwickeln und erforschen wir in unserem Department sowohl Hochfrequenz- als auch leistungselektronische Bauelemente.

Flip-chip montierten GaN-Leistungstransistor neben dem als Größenvergleich ein Cent-Stück liegt — Flip-chip montierten GaN-Leistungstransistor

Selbstsperrender Galliumnitrid-Transistorchip mit kleinen Abmessungen von nur 4,4 mal 2,3 Millimetern — Selbstsperrender 60 mOhm / 600 V GaN-Transistorchip (4,4 x 2,3 mm)

Testaufbau für Mikrowellen-Lebensdauertests, in dem mehrere Bauelemente zu sehen sind. — Testaufbau für Mikrowellen-Lebensdauertests

Unsere AlGaN/GaN-Heterostrukturen ermöglichen Hochgeschwindigkeits-Feldeffektbauelemente mit gleichzeitig hoher Stromtragfähigkeit und Durchbruchspannung.

Wir setzen diese für neuartige Mikrowellen-Leistungsbauelemente ein:

diskrete GaN-Leistungstransistoren für Anwendungen im L- bis C-Band - diese werden u. a. in unseren Mikrowellen-Plasmaquellen verwendet
GaN-MMICs für Anwendungen im X-, Ka- und Q-Band - diese werden u. a. in unseren digitalen Leistungsverstärkern eingesetzt
Ka-Band-MMICs entwickeln wir derzeit im Rahmen des Europäischen Projekts entwickeln wir derzeit im Rahmen des Europäischen Projekts SGAN-Next und des ESA-Projekts Kassiopeia

GaN-, AlN- und Ga₂O₃-basierte Schalttransistoren für hohe Spannungen ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit hohen Konverter-Schaltfrequenzen und besonders hohen Leistungsdichten.

Aktuell entwickeln wir:

Basis für unsere Entwicklungen sind spezielle Messtechniken und Simulationsverfahren für Leistungstransistoren. Dazu gehören dynamische Charakterisierungstechniken, verschiedene Simulationswerkzeuge sowie Zuverlässigkeitsanalysen.

Unsere Schwerpunkte:

Bauelement-Simulationen: physikalisch orientiert sowie thermisch und mechanisch
Bauelement-Charakterisierung: umfassende Charakterisierung der dynamischen Eigenschaften inkl. Wärmeverteilung über ausgedehnte Leistungstransistoren und deren thermischer Impedanz
Analyse der Zuverlässigkeit mit angepassten Testroutinen

Hochgeschwindigkeits-Feldeffektbauelemente

Schalttransistoren für hohe Spannungen

Messtechnik & Simulation