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“Au-Free Ohmic Contact for GaN High-Electron-Mobility Transistors” von Hossein Yazdani, Serguei Chevtchenko, Frank Brunner, Günther Tränkle und Joachim Würfl gehört zu den meistgelesenen Artikeln in physica status solidi (a) - applications and materials science.

Die Publikation von Hossein Yazdani, Serguei Chevtchenko, Frank Brunner, Günther Tränkle und Joachim Würfl untersucht die Herstellung von ohmschen Kontakten ohne Gold (Au) bei Millimeterwellen-Feldeffekttransistoren mit GaN-Heteroübergängen. Die Autoren haben verschiedene Kombinationen aus Metallisierung und schnellem thermischem Ausglühen (Temperatur/Dauer) getestet und festgestellt, dass Ta/Al/W besonders effektiv ist. Sie erreichten einen Kontaktwiderstand von ≈0,28 ± 0,18 Ω mm nach dem Ausglühen bei 600 °C. Zudem verbesserten sich Oberflächenrauigkeit und Kantenschärfe deutlich im Vergleich zu Au-basierten Kontakten.