CS Mantech 2025

Das FBH ist mit zahlreichen aktuellen Beiträgen auf der International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology vertreten.

• Development of Cap Layers for High Temperature Pulse Annealing of GaN
• Vertical GaN-on-Tungsten High Voltage pn-Diodes
• Vertical GaN Trench MOSFETs with HfO₂ / AI₂O₃ Layered Gate Dielectric
• Low Ohmic Contact Resistances for RF GaN HEMTs with AI_0.36Ga_0.64N Barrier
• Efficient front-end manufacturing of high-quality VCSEL – enabled by in-situ and ex-situ optical metrology during epi growth and processing

Sämtliche Details finden Sie auf der Website der Konferenz.