BMBF fördert Projekt „All-GO-HEMT“ zur Entwicklung hocheffizienter β-Galliumoxid-Heterostrukturen mit rund 2 Mio Euro

Unter der Leitung von Dr. Andreas Fiedler zielt das Projekt „All-GO-HEMT“ darauf ab, modulationsdotierte β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃/Ga₂O₃-Heterostrukturen zu entwickeln, die eine hohe Elektronenbeweglichkeit aufweisen. Mit einer Gesamtprojektförderung von knapp 2 Millionen Euro, finanziert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF), soll dieses Projekt zu einer erheblichen Effizienzsteigerung in der Leistungselektronik führen und somit einen wesentlichen Beitrag zur nachhaltigen Energieerzeugung leisten.
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