Neu erschienen: frequent zu ultra-widebandgap semiconductor devices

Die neue Ausgabe der frequent beschäftigt sich mit aktuellen FBH-Entwicklungen, die auf Wide-Bandgap und Ultra-Widebandgap Halbleitern basieren - und ihre wichtige Rolle wenn es darum geht, den Energiebedarf moderner Systeme zu senken und Ressourcen zu schonen. Die Themen sind unter anderem:

• Aluminiumnitrid (AlN) - Bauelemente für schnelle Schaltvorgänge
• Galliumoxid (Ga₂O₃) - neuartiges Material für hohe Spannungen
• Galliumnitrid (GaN) - vertikale Bauelemente für hohe Leistungen

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